Samsung yeni bir başarıya imza atarak, HBM3E 12H’yi tanıttı. Sektörün ilk 12 yığınlı HBM3E DRAM’i olarak önemli bir kilometre taşını temsil eden ürün, bugüne kadarki en yüksek kapasiteli HBM ürünü. HBM3E 12H, saniyede 1.280 gigabayta kadar bant genişliği ve 36 gigabayt depolama kapasitesi sunuyor. Her iki açıdan da 8 yığınlı HBM3 8H’ye kıyasla yüzde 50’nin üzerinde bir gelişme görülüyor.
Chip’te yer alan habere göre Samsung’un Bellek Ürün Planlamasından Sorumlu Başkan Yardımcısı Yongcheol Bae konuyla ilgili şu ifadeleri kullandı;
“Sektörün yapay zeka hizmet sağlayıcıları giderek daha yüksek kapasiteli HBM’ye ihtiyaç duyuyor ve yeni HBM3E 12H ürünümüz bu ihtiyaca cevap vermek üzere tasarlandı. Bu yeni bellek çözümü, yüksek yığınlı HBM için temel teknolojiler geliştirme ve yapay zeka çağında yüksek kapasiteli HBM pazarı için teknolojik liderlik sağlama çabamızın bir parçasını oluşturuyor.”
Teknoloji devine göre, NCF malzemesinin kalınlığını azaltma konusundaki kararlılığı, yedi mikrometre (µm) ile çipler arasında sektörün en küçük boşluğunun oluşmasını ve katmanlar arasındaki boşlukların ortadan kaldırılmasını sağladı. Sonuç olarak, dikey yoğunlukta HBM3 8H’ye kıyasla yüzde 20’yi aşan bir artış sağlanmış durumda.
HBM3E 12H’nin yapay zeka uygulamalarında kullanılmasının, yapay zeka eğitimi için ortalama hızda yüzde 34’lük bir artış sağlaması ve çıkarım hizmetlerinin eşzamanlı kullanıcı sayısını 11,5 kattan fazla artırması bekleniyor.
Samsung halihazırda müşterilerine HBM3E 12H örnekleri sağlamaya başlamış durumda ve bu yılın ikinci yarısında seri üretime geçilmesi hedefleniyor.
